Выбор резиста для изготовления SNSPD методом электронно-лучевой литографии

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Желтиков Владимир Александрович

Первый (магистратура)

Моисеев Константин Михайлович (Кандидат наук, Доцент, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")

В работе выполнен критериальный анализ основных резистов, применяемых для электронно-лучевой литографии наноструктур. Для изготовления сверхпроводящего однофотонного детектора выбран негативный резист PMMA, обеспечивающий малую шероховатость края резистивной маски, наиболее часто используемый ведущими научными группами и имеющий минимальную стоимость.

Желтиков В. А. Выбор резиста для изготовления SNSPD методом электронно-лучевой литографии. [Электронный ресурс] // Всероссийская научно-техническая конференция «Студенческая научная весна: Машиностроительные технологии»: материалы конференции, 4 – 8 апреля, 2022, Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана. – М.: ООО «КванторФорм», 2022.– URL: studvesna.ru?go=articles&id=3368 (дата обращения: 24.09.2023)