Доклады и статьи конференции

← Назад | Перейти в архив

Карточка работы #3368

Название
Выбор резиста для изготовления SNSPD методом электронно-лучевой литографии
Год
2022
Организация
Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)
Секция
11 - Электронные технологии в машиностроении
Автор
Желтиков Владимир Александрович
Курс обучения
Первый (магистратура)
Научный руководитель
Моисеев Константин Михайлович (Кандидат наук, Доцент, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")
Аннотация
В работе выполнен критериальный анализ основных резистов, применяемых для электронно-лучевой литографии наноструктур. Для изготовления сверхпроводящего однофотонного детектора выбран негативный резист PMMA, обеспечивающий малую шероховатость края резистивной маски, наиболее часто используемый ведущими научными группами и имеющий минимальную стоимость.
Тезисы
Библиографическая
ссылка
Желтиков В. А. Выбор резиста для изготовления SNSPD методом электронно-лучевой литографии. [Электронный ресурс] // Всероссийская научно-техническая конференция «Студенческая научная весна: Машиностроительные технологии»: материалы конференции, 4 – 8 апреля, 2022, Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана. – М.: ООО «КванторФорм», 2022.– URL: studvesna.ru?go=articles&id=3368 (дата обращения: 24.09.2023)
Если Вы обнаружили ошибку - пожалуйста, напишите нам
Сопредседатель оргкомитета конференции
Гладков Ю.А.