Анализ влияния геометрических параметров структур на эффект гигантского комбинационного рассеяния

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Сван Пьае Хту

Четвёртый (бакалавриат)

Ибрагимов Артем Рустамович ( МГТУ им. Н. Э. Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")

В работе представлен результат анализа литературного обзора публикаций последних лет на тему усиления Рамановского рассеяния и прикладного использования этого эффекта. Показано, что эффект гигантского комбинационного рассеяния (ГКР) возникает на наноструктурах различной геометрии, включая нанопирамиды, конусы и шары, изготовленные из благородных металлов и меди. При этом выявлено, что для массивов частиц критичными являются не только их характерные размеры, но и форма, а также расстояние между ними.

Сван П. Х. Анализ влияния геометрических параметров структур на эффект гигантского комбинационного рассеяния. [Электронный ресурс] // Всероссийская научно-техническая конференция «Студенческая научная весна: Машиностроительные технологии»: материалы конференции, 14 – 18 апреля, 2025, Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана. – М.: ООО «КванторФорм», 2025.– URL: studvesna.ru?go=articles&id=4423 (дата обращения: 02.04.2025)